您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

一键发布采购 上传BOM
上传BOM文件: BOM文件
*公司名:
*联系人:
*手机号码:
QQ:
应用领域:

有效期:
OEM清单文件: OEM清单文件
*公司名:
*联系人:
*手机号码:
QQ:
有效期:
您现在的位置:首页 > S字母型号搜索 > S字母第13页 > SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF中文资料

SI4435DYTRPBF图片

SI4435DYTRPBF外观图

  • 大小:107.7KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: P CHANNEL MOSFET, 8A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8A; On Resistance Rds(on):0.035ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:2.5W; No. of Pins:8; Drain Source On Resistance @ 10V:20mohm ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:4,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:20 毫欧 @ 8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:60nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:2320pF @ 15V
  • 功率 - 最大:2.5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SO
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI4435DYPBFTR

SI4435DYTRPBF供应商

更新时间:2023-01-19 17:24:22
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

在采购SI4435DYTRPBF进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

免责声明:以上所展示的SI4435DYTRPBF信息由会员自行提供,SI4435DYTRPBF内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

友情提醒:为规避购买SI4435DYTRPBF产品风险,建议您在购买SI4435DYTRPBF相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"委托宝交易服务",买卖都安全。